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毛思玮; 鲁军; 赵旭鹏; 赵建华;
中国有色金属学会;
中国电子学会;
锰镓合金; 垂直磁隧道结; 分子束外延; 插层材料;
机译:基于MNGA的完全垂直的磁隧道结,具有超薄CO2MNSI中间层
机译:具有Mn修饰的超薄MnGa层的垂直磁隧道结
机译:MgO基磁隧道结顶部超薄CoFeB层界面垂直磁各向异性的起源研究
机译:用CoFeB偏光层的MgO基垂直磁隧道结堆中磁性高温退火稳定性
机译:氧化镁基磁隧道结中层间交换耦合的分子束外延生长和磁光研究
机译:具有超薄Co2MnSi中间层的MnGa基全垂直磁性隧道结
机译:隧道光谱法研究全外延Co2MnSi / MgO / Co2MnSi磁性隧道结中Co2MnSi电极的半金属电子结构(邀请)
机译:超薄Co / Ni多层膜的垂直磁各向异性研究铁磁共振和磁X射线显微光谱。
机译:自旋力矩(SOT)磁隧道结(MTJ)(SOT-MTJ)可采用垂直和平面自由层磁各向异性来实现垂直磁方向切换,这对于系统是合适的,适合于系统使用
机译:具有垂直形状各向异性和最小化温度记忆点和逻辑元素(包括磁隧道结)的正交形状各向异性的磁隧道结,制造磁隧道结的方法
机译:具有垂直各向异性和最小化温度变化的磁隧道结,包括磁隧道结的记忆点和逻辑元素,制造磁隧道结的方法
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