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METHOD FOR GROWING LiNbO3 SINGLE CRYSTAL

机译:LiNbO3单晶的生长方法

摘要

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for growing a high quality LiNbO3 single crystal without controlling the shape of the single crystal using an iridium crucible.;SOLUTION: The method for growing a LiNbO3 single crystal comprises: charging a LiNbO3 seed crystal 7 into a lower portion of an iridium crucible 1 and charging a LiNbO3 crystal raw material 8 on the LiNbO3 seed crystal; and growing the LiNbO3 single crystal by the vertical Bridgman method without controlling the shape of the single crystal or a vertical temperature gradient freezing method in an inert gas atmosphere in which an oxygen concentration in a growth furnace housing the iridium crucible 1 is set to 5% or less. The method has the effect of growing a high quality LiNbO3 single crystal even when applying an inexpensive iridium crucible as compared with a platinum crucible.;SELECTED DRAWING: Figure 1;COPYRIGHT: (C)2018,JPO&INPIT
机译:解决的问题:提供一种生长高质量的LiNbO 3 单晶的方法,而无需使用铱坩埚来控制单晶的形状。;解决方案:一种生长LiNbO 的方法3 单晶包括:将LiNbO 3 晶种7装入铱坩埚1的下部,并在其上装入LiNbO 3 晶体原料8。 LiNbO 3 籽晶;在不控制单晶形状或不采用垂直温度梯度冷冻法的情况下,在惰性气体气氛中(其中装有氧气的生长炉中的氧气浓度较高),通过垂直布里奇曼法生长LiNbO 3 单晶。铱坩埚1设定为5%以下。即使与铂金坩埚相比使用廉价的铱坩埚,该方法也具有生长高质量LiNbO 3 单晶的效果。;部分附图:图1;版权:(C)2018,JPO&INPIT

著录项

  • 公开/公告号JP2018100202A

    专利类型

  • 公开/公告日2018-06-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SUMITOMO METAL MINING CO LTD;

    申请/专利号JP20160247564

  • 发明设计人 NISHIMURA EIICHIRO;

    申请日2016-12-21

  • 分类号C30B29/30;C30B11/08;F27B14/10;H01L41/41;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 13:12:23

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