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LINBO3 SINGLE CRYSTAL GROWING METHOD

机译:LINBO3单晶生长方法

摘要

The growing method of LiNbO3 single crystalgrowed to the closely round shape is characterized by growing the single crystal with a seed crystal having 10-130 inclined directional axis from Y direction to Z direction by the edge method. The LiNbO3 single crystal is used in the manufacture of a surface acoustic wave device and an optical intergrated circuit.
机译:成长为接近圆形的LiNbO 3单晶的生长方法的特征在于,通过边缘法使单晶的晶种从Y方向向Z方向具有10-130°的倾斜方向轴。 LiNbO 3单晶用于表面声波器件和光集成电路的制造。

著录项

  • 公开/公告号KR920006205B1

    专利类型

  • 公开/公告日1992-08-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SAMSUNG CORNING CO. LTD.;

    申请/专利号KR19880011228

  • 发明设计人 PARK SONG - SU;

    申请日1988-08-31

  • 分类号H01L49/00;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-22 05:28:22

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