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LINBO3 SINGLE CRYSTAL GROWING METHOD

机译:LINBO3单晶生长方法

摘要

The growing method of LiNbO3 single crystal is characterized by melting LiNbO3 powder by the RF generator, growing the powder with Y-directional axis seed, cooling the growed single crystal at the cooling rate of 50-80 deg.C/hr in the temperature range of 400 deg.C to 800 deg.C, and then cooling it at the cooling rte of 100-150 deg.C/hr in the remaining temperature range. The single crystal is used in the mfr. of a surface acoustic wave filter.
机译:LiNbO3单晶的生长方法的特征在于,通过RF发生器熔化LiNbO3粉末,用Y方向轴晶种生长粉末,以50-80℃/ hr的冷却速率在温度范围内冷却生长的单晶。将其在400℃至800℃下冷却,然后在剩余温度范围内以100-150℃/小时的冷却温度冷却。在mfr中使用了单晶。声表面波滤波器。

著录项

  • 公开/公告号KR920006204B1

    专利类型

  • 公开/公告日1992-08-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SAMSUNG CORNING CO. LTD.;

    申请/专利号KR19880011227

  • 发明设计人 HAN JAE - YONG;

    申请日1988-08-31

  • 分类号H01L49/00;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-22 05:28:22

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