一种单晶LiNbO3薄膜忆阻器及其制备方法

摘要

本发明涉及离子刻蚀、氧气退火与忆阻器领域，尤其涉及一种单晶LiNbO3薄膜忆阻器及其制备方法。本发明通过Ar+刻蚀技术轰击固体表面使表面原子溅射而被逐层剥离使LiNbO的厚度更进一步的降低，同时引入忆阻器所需的氧空位。代替现有技术采用真空退火工艺引入氧空位的手段，并同时降低阈值电压。并且通过氧气氛围下的退火以修复材料表面氧空位一类的缺陷，让引入的氧空位减少，调节材料表面氧空位浓度。最终本发明解决了单晶薄膜忆阻器阈值较高的问题，同时优化了器件的保持力和耐久力。