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Silicon-based MEMS devices including wells embedded with high density metal

机译:基于硅的MEMS器件,包括嵌入高密度金属的阱

摘要

In one aspect, the disclosure is directed to a MEMS device. The MEMS device includes a silicon-based movable MEMS sensor element. The MEMS device also includes a plurality of wells formed into at least one surface of the movable MEMS sensor element. Each well is filled with at least one metal so as to increase the effective mass of the movable MEMS sensor element. The metal may be tungsten or tantalum, or an alloy with tungsten or tantalum.
机译:一方面,本公开针对一种MEMS装置。 MEMS器件包括基于硅的可移动MEMS传感器元件。 MEMS装置还包括形成在可移动MEMS传感器元件的至少一个表面中的多个阱。每个阱填充有至少一种金属,以增加可移动MEMS传感器元件的有效质量。金属可以是钨或钽,或与钨或钽的合金。

著录项

  • 公开/公告号US10073113B2

    专利类型

  • 公开/公告日2018-09-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 ANALOG DEVICES INC.;

    申请/专利号US201514695421

  • 发明设计人 MICHAEL JUDY;XIN ZHANG;

    申请日2015-04-24

  • 分类号G01P15/08;B81C1/00;H01L21/48;G01C19/5769;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 13:06:17

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