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Radiation hardened structured ASIC platform with compensation of delay for temperature and voltage variations for multiple redundant temporal voting latch technology

机译:辐射硬化结构化ASIC平台,可补偿温度和电压变化的延迟,以实现多种冗余的时间投票锁存技术

摘要

The invention relates to devices and methods of maintaining the current starved delay at a constant value across variations in voltage and temperature to increase the speed of operation of the sequential logic in the radiation hardened ASIC design.
机译:本发明涉及在电压和温度的变化上将电流不足的延迟保持在恒定值以增加辐射硬化ASIC设计中的顺序逻辑的操作速度的装置和方法。

著录项

  • 公开/公告号US9912323B1

    专利类型

  • 公开/公告日2018-03-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MICRO RDC;

    申请/专利号US201514862140

  • 发明设计人 SASAN ARDALAN;

    申请日2015-09-22

  • 分类号H03K3/289;H03K3/037;H03K19/003;H03K5/135;H03K5/00;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 12:54:28

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