机译:一个记忆细胞,一个由电容器组成的记忆细胞阵列和一个由存取线和数字行列组成的晶体管的晶体管,一个2T-1C记忆细胞以及形成电容器和存取晶体管阵列的方法以上
公开/公告号WO2018132257A1
专利类型
公开/公告日2018-07-19
原文格式PDF
申请/专利权人 MICRON TECHNOLOGY INC.;
申请/专利号WO2017US68425
申请日2017-12-26
分类号H01L27/108;H01L21/311;H01L27/11507;H01L27/11514;H01L49/02;H01L29/08;
国家 WO
入库时间 2022-08-21 12:43:19