机译:存储器单元,分别包括电容器和晶体管的存储器单元的阵列,该阵列包括访问线的行和数字线的列,2T-1C存储器单元以及在其上形成电容器和访问晶体管的阵列的方法
公开/公告号US10192873B2
专利类型
公开/公告日2019-01-29
原文格式PDF
申请/专利权人 MICRON TECHNOLOGY INC.;
申请/专利号US201715818571
申请日2017-11-20
分类号H01L21;H01L27/108;H01L21/311;H01L29/66;H01L29/78;H01L49/02;H01L27/11507;H01L27/11514;H01L29/08;H01L29/10;
国家 US
入库时间 2022-08-21 12:10:00