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REACTIVE SPUTTERING APPARATUS AND REACTIVE SPUTTERING METHOD

机译:活性溅射装置及活性溅射方法

摘要

Provided is a reactive sputtering apparatus, which forms a membrane through a composition mode, a transition mode, and a metal mode using a target and a reactive gas. The reactive sputtering apparatus comprises: an inert gas inducing unit; a reactive gas inducing unit; a power supply unit for supplying electric power to the target; a detection unit for detecting plasma luminescence generated by electric power supplied to the target; and a control unit for adjusting a reactive gas flow rate in order to maintain a calculation value of plasma luminescence intensity in a wavelength or plasma luminescence intensity in a plurality of wavelengths as a predetermined value. The control unit controls the plasma luminescence intensity or the calculation value so that a ratio of cathode voltage (V) of the transition mode to cathode voltage (Vc) of the composition mode approaches a predetermined value, which is voltage detected during formation of a membrane.
机译:本发明提供一种反应性溅射装置,该反应性溅射装置使用靶和反应性气体通过组成模式,过渡模式和金属模式形成膜。反应溅射装置包括:惰性气体诱导单元;和反应气体诱导单元;电源单元,用于向目标供电。检测单元,用于检测由提供给目标的电力产生的等离子体发光;控制单元,其用于调节反应气体流量,以将某波长下的等离子体发光强度或多个波长下的等离子体发光强度的计算值维持为预定值。控制单元控制等离子体发光强度或计算值,使得过渡模式的阴极电压(V)与合成模式的阴极电压(Vc)之比接近预定值,该预定值是在膜形成期间检测到的电压。 。

著录项

  • 公开/公告号KR20180105070A

    专利类型

  • 公开/公告日2018-09-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 CANON KABUSHIKI KAISHA;

    申请/专利号KR20180026114

  • 发明设计人 HIROKI TAMAYO;

    申请日2018-03-06

  • 分类号C23C14;H01J37/34;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 12:39:02

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