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SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND WEARABLE DEVICE

机译:半导体集成电路设备和可穿戴设备

摘要

To provide a semiconductor device which can operate stably while reducing power consumption.SOLUTION: A semiconductor device includes a CPU26, a system controller 24 for specifying the operation speed of the CPU26, an SRAM 30 having P type SOTB transistors SP1, SP2 and N type SOTB transistors SN1-SN4, and connected with the CPU26, and a substrate bias circuit 23 connected with the system controller 24, and capable of supplying substrate bias voltages Vsp, Vsn to the P type SOTB transistors SP1, SP2 and N type SOTB transistors SN1-SN4. When the system controller 24 specifies a low speed mode for operating the CPU26 at a low speed, the substrate bias circuit 23 supplies the substrate bias voltages Vsp, Vsn to the P type SOTB transistors SP1, SP2 and N type SOTB transistors SN1-SN4.SELECTED DRAWING: Figure 2
机译:为了提供一种能够在降低功耗的同时稳定运行的半导体器件。解决方案:半导体器件包括CPU26,用于指定CPU26的运行速度的系统控制器24,具有P型SOTB晶体管SP1,SP2和N型的SRAM 30。 SOTB晶体管SN1-SN4,与CPU26连接,以及衬底偏置电路23,与系统控制器24连接,并且能够向P型SOTB晶体管SP1,SP2和N型SOTB晶体管SN1提供衬底偏置电压Vsp,Vsn。 -SN4。当系统控制器24指定用于以低速操作CPU26的低速模式时,基板偏置电路23将基板偏置电压Vsp,Vsn提供给P型SOTB晶体管SP1,SP2和N型SOTB晶体管SN1-SN4。选定的图纸:图2

著录项

  • 公开/公告号JP2019192324A

    专利类型

  • 公开/公告日2019-10-31

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 RENESAS ELECTRONICS CORP;

    申请/专利号JP20190107264

  • 申请日2019-06-07

  • 分类号G11C11/417;H01L21/822;H01L27/04;H01L21/336;H01L29/78;H01L27/088;H01L21/8238;H01L27/092;H01L27/10;H01L21/8244;H01L27/11;G11C5/14;G11C11/412;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 12:24:16

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