高速ＣＭＰ研磨法

摘要

【課題】半導体、光学及び磁気基板の少なくとも１つのウェーハに対し、研磨性能とスラリー使用のより良好な組み合わせを有するケミカルメカニカル研磨パッドを使用した研磨又は平坦化する方法を提供する。【解決手段】本方法は、研磨層内に、上記研磨層を研磨領域に分離する放射状供給溝を有する研磨パッドを回転させることを包含する。上記放射状供給溝は、１対の隣接する放射状供給溝を接続する一連の偏倚された溝を含む。上記偏倚された溝の大部分は、上記研磨パッドの中心に向かう内側への偏倚、又は上記研磨パッドの外縁部に向かう外側への偏倚のどちらかを有している。上記研磨パッドの中心から一定の距離で上記研磨パッドの複数の回転で回転する研磨パッドに対して上記ウェーハを押圧し且つ回転させることは、上記ウェーハの研磨又は平坦化の除去速度を増大させる。【選択図】なし