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Fabrication of Gallium Nitride Based LEDs with Aluminum Nitride Buffer Layer Formed by PVD

机译：PVD形成具有氮化铝缓冲层的氮化镓基LED的制造

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Fabrication of gallium nitride-based light emitting diodes (LEDs) with physical vapor deposition (PVD) formed aluminum nitride buffer layers is described.

机译：描述了具有物理气相沉积（PVD）形成的氮化铝缓冲层的氮化镓基发光二极管（LED）的制造。

著录项

公开/公告号JP6507211B2

专利类型
公开/公告日2019-04-24

原文格式PDF
申请/专利权人アプライドマテリアルズインコーポレイテッド;
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申请/专利号JP20170195555
发明设计人チュー;ミンウェイ;アグラワル;ヴィヴェク;パティバンドラ;ナグ;ビー．;ナラマス;オムカラム;
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申请日2017-10-06
分类号H01L33/32;H01L21/203;H01L21/205;C23C16/34;C23C14/06;C30B29/38;C30B25/02;C30B23/08;H01L33/06;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 12:19:07

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