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机译:气相沉积掩模,具有框架的气相沉积掩模,气相沉积掩模制备,气相沉积图案形成方法,有机半导体元件制造方法,有机EL显示器的制造方法
公开/公告号JP6451902B2
专利类型
公开/公告日2019-01-16
原文格式PDF
申请/专利权人 大日本印刷株式会社;
申请/专利号JP20180526276
发明设计人 小幡 勝也;曽根 康子;穂刈 久実子;
申请日2017-09-27
分类号C23C14/04;H05B33/10;H01L51/50;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 12:19:00
机译: 气相沉积面膜,具有框架的气相沉积面膜,气相沉积面膜制备体,图案形成方法,气相沉积面膜的制造方法,有机半导体元件的制造方法以及有机电子发光的制造方法
机译: 气相沉积面膜,具有框架的气相沉积面膜,气相沉积面膜制备体,制备气相沉积面膜的方法,制备有机半导体元件的方法,制备有机EL显示器的方法以及形成图案的方法
机译: 气相沉积掩模,具有框架的气相沉积掩模,气相沉积掩模制备,气相沉积图案形成方法,有机半导体元件制造方法,有机EL显示器的制造方法