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机译:整平剂,整平剂组合物和微电子中金属电沉积的方法
公开/公告号US10323015B2
专利类型
公开/公告日2019-06-18
原文格式PDF
申请/专利权人 SHINHAO MATERIALS LLC;
申请/专利号US201615181469
发明设计人 YUN ZHANG;TAO MA;PEIPEI DONG;ZIFANG ZHU;CHEN CHEN;
申请日2016-06-14
分类号C07D311/84;C07D311/86;C25D3/38;C25D7/12;C25D3/22;C25D3/32;C25D3/46;C25D3/54;
国家 US
入库时间 2022-08-21 12:16:31
机译: 整平剂,整平剂组合物和微电子中金属电沉积的方法
机译: 微电子中金属的左电平层,左电平层组合物和电沉积方法
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