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Fabrication of correlated electron material films with varying atomic or molecular concentrations of dopant species

机译:制备具有不同原子或分子浓度掺杂剂的相关电子材料薄膜

摘要

Subject matter disclosed herein may relate to fabrication of layered correlated electron materials (CEMs) in which a first group of one or more layers may comprise a first concentration of a dopant species, and wherein a second group of one or more layers may comprise a second concentration of a dopant species. In other embodiments, a CEM may comprise one or more regions of graded concentration of a dopant species.
机译:本文公开的主题可以涉及层状相关电子材料(CEM)的制造,其中一层或多层的第一组可以包括第一浓度的掺杂剂物质,并且一层或多层的第二组可以包括第二种掺杂剂。掺杂物种类的浓度。在其他实施例中,CEM可以包括一个或多个梯度浓度的掺杂剂种类的区域。

著录项

  • 公开/公告号US10381560B2

    专利类型

  • 公开/公告日2019-08-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 ARM LTD.;

    申请/专利号US201815890222

  • 发明设计人 KIMBERLY GAY REID;LUCIAN SHIFREN;

    申请日2018-02-06

  • 分类号H01L45;H01L27/24;H01L49;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 12:16:20

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