制造具有不同原子或分子浓度的掺杂剂物质的相关电子材料膜

摘要

本技术总体涉及制造分层的相关电子材料(CEM)，其中，第一组一个或多个层可以包括第一浓度的掺杂剂物质，并且其中，第二组一个或多个层可以包括第二浓度的掺杂物质。在其他实施例中，CEM可以包括渐变浓度的掺杂剂物质的一个或多个区域。