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Fabrication of correlated electron material films with varying atomic or molecular concentrations of dopant species

机译:制备具有不同原子或分子浓度掺杂剂的相关电子材料薄膜

摘要

The present techniques generally relate to fabrication of layered correlated electron materials (CEMs) in which a first group of one or more layers may comprise a first concentrationof a dopant species, and wherein a second group of one or more layers may comprise a second concentration of a dopant species. In other embodiments, a CEM may comprise one or more regions of graded concentration of a dopant species.
机译:本技术通常涉及层状相关电子材料(CEM)的制造,其中一个或多个层的第一组可以包括第一浓度的掺杂剂种类,并且其中一个或多个层的第二组可以包括第二浓度的掺杂剂种类。掺杂物。在其他实施例中,CEM可以包括一个或多个梯度浓度的掺杂剂种类的区域。

著录项

  • 公开/公告号GB2567777A

    专利类型

  • 公开/公告日2019-04-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 ARM LTD;

    申请/专利号GB20190002616

  • 发明设计人 LUCIAN SHIFREN;KIMBERLY GAY REID;

    申请日2017-08-10

  • 分类号H01L45/00;

  • 国家 GB

  • 入库时间 2022-08-21 11:43:05

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