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GaN logic circuits

机译:Gan logic circuits

摘要

A GaN digital circuit is disclosed. The circuit includes a first output node on a substrate, a pull up switch connected to a first output node and a power supply node having a second voltage, a capacitor having a first terminal configured to cause the voltage at the gate of the pull up switch to increase to substantially the sum of the second voltage and a third voltage in response to the voltage at the first output node increasing to the second voltage. The circuit also includes a first depletion mode charging switch configured to cause a voltage at the first terminal of the capacitor to become substantially equal to the third voltage while the voltage at the first output node is substantially equal to the first voltage and is configured to be substantially nonconductive while the voltage at the first output node is substantially equal to the second voltage.
机译:公开了一种GaN数字电路。该电路包括衬底上的第一输出节点,连接到第一输出节点的上拉开关和具有第二电压的电源节点,具有第一端子的电容器,该电容器的第一端子被配置为在上拉开关的栅极处引起电压。响应于第一输出节点处的电压增加到第二电压,将第二电压和第三电压的和增加到基本上第二电压和第三电压的和。该电路还包括第一耗尽模式充电开关,该第一耗尽模式充电开关被配置为使得电容器的第一端子处的电压变得基本上等于第三电压,而第一输出节点处的电压基本上等于第一电压并且被配置为当第一输出节点上的电压基本上等于第二电压时,该第一导电层基本上不导电。

著录项

  • 公开/公告号US10454481B1

    专利类型

  • 公开/公告日2019-10-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 NAVITAS SEMICONDUCTOR INC.;

    申请/专利号US201916375394

  • 发明设计人 SANTOSH SHARMA;

    申请日2019-04-04

  • 分类号H03K19/20;H03K19/0185;H01L27/06;H03K3/037;H01L29/20;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 12:15:50

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