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机译:非易失性电阻式随机存取存储器(RAM)阵列的内存中逻辑计算
公开/公告号US10468084B2
专利类型
公开/公告日2019-11-05
原文格式PDF
申请/专利权人 GLOBALFOUNDRIES INC.;
申请/专利号US201815944032
发明设计人 AKHILESH R. JAISWAL;AJEY POOVANNUMMOOTTIL JACOB;
申请日2018-04-03
分类号G11C11/16;H03K19/16;
国家 US
入库时间 2022-08-21 12:13:51
机译: 非易失性电阻随机访问存储器(RAM)阵列的逻辑存储计算
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