首页> 中国专利> 具有静态随机存取存储器阵列和电阻式存储器阵列的非易失性静态随机存取存储器系统

具有静态随机存取存储器阵列和电阻式存储器阵列的非易失性静态随机存取存储器系统

摘要

一种集成电路(IC)装置包含静态随机存取存储器(SRAM)阵列以及电阻式存储器(电阻式存储器)阵列。所述电阻式存储器阵列中的第一组可编程电阻性元件用以存储来自所述SRAM阵列中的存储器单元的数据。读出放大器电路可耦合到所述SRAM阵列和所述电阻式存储器阵列。仲裁器被配置成断言电阻式存储器启用信号,以在电阻式存储器读取操作期间将所述读出放大器电路耦合到所述电阻式存储器阵列且将所述读出放大器电路从所述SRAM阵列去耦,以及在SRAM读取操作期间将所述读出放大器耦合到所述SRAM阵列且将所述读出放大器电路从所述电阻式存储器阵列去耦。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-06-18

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C7/10 申请日:20170524

    实质审查的生效

  • 2017-12-05

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号