机译:具有应变再分布层的可伸缩电子制造方法
公开/公告号US10468357B2
专利类型
公开/公告日2019-11-05
原文格式PDF
申请/专利权人 INTEL CORPORATION;
申请/专利号US201515546958
发明设计人 RAJENDRA C. DIAS;TATYANA N. ANDRYUSHCHENKO;MAURO J. KOBRINSKY;ALEKSANDAR ALEKSOV;DAVID W. STAINES;
申请日2015-03-11
分类号H01L23/498;H01L23;H01L23/16;H01L21/48;H01L21/56;H01L23/31;
国家 US
入库时间 2022-08-21 12:13:49