首页> 外国专利> Group III-V ferromagnetic/non-magnetic semiconductor heterojunctions and magnetodiodes

Group III-V ferromagnetic/non-magnetic semiconductor heterojunctions and magnetodiodes

机译:III-V组铁磁性/非磁性半导体异质结和磁二极管

摘要

Ferromagnetic Group III-V semiconductor/non-magnetic Group III-V semiconductor heterojunctions, with a magnetodiode device, to detect heterojunction magnetoresistance responsive to an applied magnetic field.
机译:具有磁二极体器件的铁磁III-V组半导体/非磁性III-V组半导体异质结,可检测对施加磁场的异质结磁阻。

著录项

  • 公开/公告号US10209323B2

    专利类型

  • 公开/公告日2019-02-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 NORTHWESTERN UNIVERSITY;

    申请/专利号US201715476067

  • 发明设计人 STEVEN J. MAY;BRUCE W. WESSELS;

    申请日2017-03-31

  • 分类号H01L29/82;G01R33/12;B82Y25/00;G01R33/09;H01L29/267;H01L43/08;H01L43/10;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 12:12:29

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号