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METHOD OF FORMING A BULK ARTICLE AND SEMICONDUCTOR CHAMBER APPARATUS FROM YTTRIUM OXIDE AND ZIRCONIUM OXIDE

机译：由氧化钇和氧化锆形成本体和半导体腔室装置的方法

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摘要

Disclosed herein is a ceramic article or coating useful in semiconductor processing, which is resistant to erosion by halogen-containing plasmas. The ceramic article or coating is formed from a combination of yttrium oxide and zirconium oxide.

机译：本文公开了可用于半导体加工的陶瓷制品或涂层，其耐含卤素的等离子体的腐蚀。陶瓷制品或涂层由氧化钇和氧化锆的组合形成。

著录项

公开/公告号US2019157114A1

专利类型
公开/公告日2019-05-23

原文格式PDF
申请/专利权人 APPLIED MATERIALS INC.;
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申请/专利号US201916252372
发明设计人 JENNIFER Y. SUN;REN-GUAN DUAN;JIE YUAN;LI XU;KENNETH S. COLLINS;
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申请日2019-01-18
分类号H01L21/67;C04B35/505;C04B35/486;
国家 US
入库时间 2022-08-21 12:08:24

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