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Fabrication method of package structure

机译:封装结构的制作方法

摘要

A method for fabricating a package structure is provided, which includes the steps of: forming a first insulating layer on a carrier; forming a dielectric body on the first insulating layer, wherein the dielectric body has a first surface formed on the first insulating layer and a second surface opposite to the first surface, and a circuit layer and a plurality of conductive posts formed on the circuit layer are embedded in the dielectric body; forming a second insulating layer on the second surface of the dielectric body, wherein the glass transition temperature of the first insulating layer and/or the second insulating layer is greater than 250° C.; and removing the carrier. Since the glass transition temperature of the first or second insulating layer is greater than that of the dielectric body, the package structure has a preferred strength to avoid warping, thereby dispensing with a support member.
机译:提供了一种制造封装结构的方法,该方法包括以下步骤:在载体上形成第一绝缘层;以及在绝缘层上形成第一绝缘层。在第一绝缘层上形成电介质,其中,电介质具有形成在第一绝缘层上的第一表面和与第一表面相对的第二表面,并且电路层和形成在电路层上的多个导电柱是嵌入电介质体内;在所述介​​电体的第二表面上形成第二绝缘层,所述第一绝缘层和/或所述第二绝缘层的玻璃化转变温度大于250℃。并卸下载体。由于第一绝缘层或第二绝缘层的玻璃化转变温度高于介电体的玻璃化转变温度,因此封装结构具有优选的强度以避免翘曲,从而省去了支撑构件。

著录项

  • 公开/公告号US10147615B2

    专利类型

  • 公开/公告日2018-12-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO. LTD.;

    申请/专利号US201715440390

  • 发明设计人 YU-CHENG PAI;

    申请日2017-02-23

  • 分类号H01L21/48;H01L23/498;H01L21/56;H01L21/683;H01L23/31;H01L23;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 12:07:37

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