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DISPLAY PANEL, DISPLAY DEVICE AND PREPARATION METHOD OF LOW TEMPERATURE POLY-SILICON THIN FILM TRANSISTOR

机译:低温多晶硅薄膜晶体管的显示面板,显示装置及制备方法

摘要

The invention provides a display panel, a display device and a preparation method of a low temperature poly-silicon thin film transistor (LTPS-TFT). The preparation method comprises: providing a base substrate; forming a semiconductor layer on the base substrate; forming a first insulating layer on the semiconductor layer; forming a first metal layer on the first insulating layer and patterning the first metal layer to obtain a first metal gate layer; forming a second insulating layer on the first metal layer; forming a second metal layer on the second insulating layer and patterning the second metal layer to obtain a second metal gate layer, wherein the first metal gate layer and the second metal gate layer are connected; forming a third insulating layer on the second metal layer; forming a third metal layer on the third insulating layer and patterning the third metal layer to form a source and a drain, wherein the source and the drain are connected to the semiconductor layer. The LTPS technology of the present invention can be applied to the production of large-sized panels.
机译:本发明提供一种低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS-TFT)的显示面板,显示装置及制备方法。该制备方法包括:提供基础基板;在基础基板上形成半导体层;在半导体层上形成第一绝缘层;在第一绝缘层上形成第一金属层,并对第一金属层进行构图以获得第一金属栅层;在第一金属层上形成第二绝缘层;在第二绝缘层上形成第二金属层,并对第二金属层进行构图,得到第二金属栅层,其中第一金属栅层和第二金属栅层相连。在第二金属层上形成第三绝缘层;在第三绝缘层上形成第三金属层,并对第三金属层进行构图以形成源极和漏极,其中源极和漏极连接到半导体层。本发明的LTPS技术可以应用于大型面板的生产。

著录项

  • 公开/公告号WO2019061586A1

    专利类型

  • 公开/公告日2019-04-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利号WO2017CN106736

  • 发明设计人 ZHANG JIAWEI;

    申请日2017-10-18

  • 分类号H01L21/336;H01L29/786;H01L27/12;

  • 国家 WO

  • 入库时间 2022-08-21 11:55:37

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