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NITRIDE-BASED ELECTRONIC DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

机译:基于氮化物的电子设备及其制造方法

摘要

The present invention relates to a nitride-based electronic device and a method for manufacturing same, the nitride-based electronic device comprising a substrate, a metal electrode and a plurality of protection layers, wherein, among the protection layers, at least two protection layers covering one portion of the electrode so that one portion of the upper part of the electrode is exposed are configured so that the upper protection layer covers the end part of the lower protection layer so as to prevent the end part of the lower protection layer from being exposed.
机译:氮化物基电子器件及其制造方法技术领域本发明涉及氮化物基电子器件及其制造方法,该氮化物基电子器件包括基板,金属电极和多个保护层,其中,在保护层中,至少两个保护层覆盖电极的一部分以使电极的上部的一部分暴露的方式被配置为使得上保护层覆盖下保护层的端部,以防止下保护层的端部被覆盖。裸露。

著录项

  • 公开/公告号EP3557631A4

    专利类型

  • 公开/公告日2020-08-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 WAVICE INC.;

    申请/专利号EP20170881414

  • 申请日2017-11-03

  • 分类号H01L29/778;H01L21/338;H01L23/29;H01L23/31;H01L29/20;H01L29/40;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2022-08-21 11:41:08

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