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Semiconductor memory device capable of performing a hammer refresh operation while performing a normal refresh operation and memory system having the same

机译:能够在执行正常刷新操作的同时执行锤击刷新操作的半导体存储器件以及具有该半导体存储器件的存储系统

摘要

A semiconductor memory device and a memory system having the same are provided. The semiconductor memory device includes a memory cell array including plural memory cell array blocks, and a refresh controller configured to control the memory cell array blocks to perform a normal refresh operation and a hammer refresh operation. The refresh controller controls one or more third memory cell array blocks excluding a first memory cell array block and one or more second memory cell array blocks adjacent to the first memory cell array block to perform the hammer refresh operation while the normal refresh operation is performed on the first memory cell array block among the memory cell array blocks.
机译:提供一种半导体存储器件和具有该半导体存储器件的存储系统。该半导体存储器件包括:存储单元阵列,其包括多个存储单元阵列块;以及刷新控制器,被配置为控制存储单元阵列块以执行正常刷新操作和锤击刷新操作。刷新控制器控制除第一存储单元阵列块和与第一存储单元阵列块相邻的一个或多个第二存储单元阵列块之外的一个或多个第三存储单元阵列块,以在执行常规刷新操作的同时执行锤击刷新操作。存储单元阵列块中的第一存储单元阵列块。

著录项

  • 公开/公告号US10607683B2

    专利类型

  • 公开/公告日2020-03-31

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD.;

    申请/专利号US201816059791

  • 发明设计人 HOON SHIN;DO YEON KIM;HO YOUNG SONG;

    申请日2018-08-09

  • 分类号G11C11/406;G11C11/4091;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 11:27:58

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