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METHOD OF PRODUCING THIN LAYER OF LARGE AREA TRANSITION METAL DICHALCOGENIDES MOS2 AND OTHERS

机译:制备大面积过渡金属二硫化物MOS2及其他的薄层的方法

摘要

An ultra-thin film transition metal dichalcogenide (“TMD”) supported on a support. The TMD is formed from a metal grown by atomic layer deposition (“ALD”) on a substrate. The metal is sulphurized to produce a TMD ultra-thin layer.
机译:支撑在支撑物上的超薄膜过渡金属二卤化二硫化锡(“ TMD”)。 TMD由通过原子层沉积(“ ALD”)在基板上生长的金属形成。金属被硫化以产生TMD超薄层。

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