为了无空隙的间隙填充制程的间隙壁外型塑造工程

摘要

本发明是有关于一种为了无空隙的间隙填充制程的间隙壁外型塑造工程，一种形成半导体元件的方法，其步骤为提供半导体基板；在半导体基板上形成栅极堆叠；紧邻栅极堆叠侧边形成栅极间隙壁；薄化栅极间隙壁；与在薄化栅极间隙壁步骤之后，在栅极间隙壁侧边形成次要栅极间隙壁。