一种太阳能级多晶硅材料的制备方法

摘要

太阳能级多晶硅材料的制备方法，该方法包括在熔盐中电解含硅材料，其中，以纯度大于或等于99.9999％的多晶硅材料为阴极，以惰性材料为阳极；所述含硅材料为含硅和金属的材料，其中，硅比金属更容易在阳极失去电子被氧化成阳离子，含硅材料的熔点不大于电解温度；电解温度为700-1200℃。采用本发明的方法制得的太阳能级多晶硅材料的纯度较高。