监测半导体衬底中硅损伤的方法

摘要

本发明公开了一种监测半导体衬底中的硅损伤的方法，在半导体衬底上形成芯片中器件的有源区，同时在芯片之间的切割道上形成有源区；形成器件的栅极，同时在芯片之间的切割道上形成分别与切割道中的有源区交叉的多组栅极，所述多组栅极之间的距离不大于0.5微米；形成器件的栅电极，同时形成切割道上栅极的栅电极；测量所形成的多组栅极之间的漏电流和/或击穿电压，以确定所述半导体衬底中是否存在硅损伤。该方法在形成器件的有源区、栅极和栅电极的同时，在切割道上形成监测用版图，因而可以通过测试切割道上监测用版图的电学参数，确定半导体衬底中是否存在硅损伤，从而在不增加工艺步骤的情况下提高了硅损伤监测的有效性。