法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2012-05-30
授权
授权
2010-09-01
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/223 申请日:20091225
实质审查的生效
2010-06-16
公开
公开
机译: 具有掺杂有杂质的多晶硅层中的具有杂质扩散防止层的半导体器件和使用相同杂质的DRAM器件,能够防止掺杂有多晶硅的杂质中的杂质扩散
机译: 半导体元件制造过程中的杂质扩散方法,用于其中的杂质扩散装置以及由其制造的半导体元件
机译: 具有其中包括杂质扩散防止层的杂质掺杂多晶层的半导体器件和使用该半导体器件的动态随机存储器件