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高光电效率二氧化钛光纳米管阵列光阳极的制备方法

摘要

本发明公开了一种高光电效率二氧化钛光纳米管阵列光阳极的制备方法,利用窄带半导体对TiO

著录项

  • 公开/公告号CN101872682B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-06-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西南交通大学;

    申请/专利号CN201010190390.5

  • 发明设计人 杨峰;蔡芳共;赵勇;

    申请日2010-06-02

  • 分类号

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 610031 四川省成都市二环路北一段111号西南交通大学科技处

  • 入库时间 2022-08-23 09:09:56

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-07-20

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01G 9/04 授权公告日:20120613 终止日期:20150602 申请日:20100602

    专利权的终止

  • 2012-06-13

    授权

    授权

  • 2010-12-08

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01G 9/04 申请日:20100602

    实质审查的生效

  • 2010-10-27

    公开

    公开

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