带有低电容和正向电压降以及耗尽的半导体控制整流器作为控向二极管的瞬态电压抑制器

摘要

本发明公开了一种设置在第一导电类型的半导体衬底上的瞬态电压抑制器(TVS)。这种瞬态电压抑制器(TVS)包括一个设置并包围在第一导电类型的所述的外延层中的第二导电类型的掩埋掺杂区，其中掩埋掺杂区横向延伸，并具有一个延伸底部结区，与外延层下半部分互相连接，也就构成了所述的瞬态电压抑制器(TVS)的稳压二极管；这种瞬态电压抑制器(TVS)还包括一个在掩埋掺杂区上方的区域，此区域包括一个第二导电类型的顶部掺杂层，以及一个第二导电类型的顶部接触区，它们与外延层和掩埋掺杂区相结合，形成多个互相连接的PN结，构成了一个半导体可控整流器(SCR)，作为一个控向二极管，与稳压二极管一起作用，以便抑制瞬态电压。