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Low forward voltage drop transient voltage suppressor and method of fabricating

机译:低正向电压降瞬态电压抑制器及其制造方法

摘要

A low forward voltage drop transient voltage suppressor utilizes a low-reverse-voltage-rated PN diode electrically connected in parallel to a high-reverse-voltage-rated Schottky rectifier in a single integrated circuit device. The transient voltage suppressor is ideally suited to fix the problem of high forward voltage drop of PN diodes and high leakage of low reverse breakdown of Schottky rectifiers. The low-reverse-voltage PN rectifier can be fabricated through methods such as 1) double layers of epi (with higher concentration layer epi in the bottom) or 2) punch through design of PN diode by base with compression.
机译:低正向电压降瞬态电压抑制器利用了在单个集成电路器件中与高反向电压额定值肖特基整流器并联电连接的低反向电压额定值PN二极管。瞬态电压抑制器非常适合解决PN二极管的高正向压降和肖特基整流器的低反向击穿的高漏电问题。可以通过以下方法制造低反向电压PN整流器:1)双层Epi(底部具有较高浓度的Epi),或2)通过压缩对PN二极管进行穿孔设计。

著录项

  • 公开/公告号US8982524B2

    专利类型

  • 公开/公告日2015-03-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 LUNG-CHING KAO;PU-JU KUNG;YU-JU YU;

    申请/专利号US201213366944

  • 发明设计人 PU-JU KUNG;LUNG-CHING KAO;YU-JU YU;

    申请日2012-02-06

  • 分类号H02H3/22;H01L29/868;H01L27/08;H01L29/861;H01L29/872;H02H3/20;H02H9/04;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 15:20:06

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