首页> 中国专利> 用于提高等离子体工艺中的处理均匀性的设备和方法

用于提高等离子体工艺中的处理均匀性的设备和方法

页面导航

摘要
著录项
法律信息
相似文献

摘要

用于提高等离子体工艺中的处理均匀性的设备和方法。在等离子体处理期间绕工件(30)的外周边缘(31)延伸的耗蚀性体(104)由等离子体可去除材料组成。该耗蚀性体(104)可以包括被布置为限定圆形几何形状的多个部分(168、170)。耗蚀性体(104)起作用以增大工件(30)的有效外径，它通过有效降低工件(30)的外周边缘(31)附近的蚀刻速度来减轻等离子体处理所固有的有害的边缘效应。

著录项

公开/公告号CN101681785B

专利类型发明专利
公开/公告日2012-05-09

原文格式PDF
申请/专利权人诺信公司;
展开▼

申请/专利号CN200880018444.0
发明设计人赵建钢;詹姆士·D·格蒂;
展开▼

申请日2008-05-23
分类号
代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司;
代理人张建涛
地址美国俄亥俄州
入库时间 2022-08-23 09:09:41

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-07-14

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01J 37/32 授权公告日:20120509 终止日期:20160523 申请日:20080523

专利权的终止
2012-05-09

授权

授权
2012-05-09

授权

授权
2010-07-21

实质审查的生效 IPC(主分类):H01J 37/32 申请日:20080523

实质审查的生效
2010-07-21

实质审查的生效 IPC(主分类):H01J 37/32 申请日:20080523

实质审查的生效
2010-03-24

公开

公开
2010-03-24

公开

公开

查看全部

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. 用于提高等离子体工艺中的处理均匀性的设备和方法 [P] . 中国专利： CN101681785B . 2012.05.09
2. 用于在等离子体处理腔室中的原位腔室清洁效率提高的等离子体处理工艺 [P] . 中国专利： CN109075030A . 2018-12-21
3. Method for improving uniformity of plasma treatment, plasma processing apparatus and antenna device used therefor [P] . 日本专利： JP4928077B2 . 2012-05-09

机译：用于提高等离子体处理的均匀性的方法，等离子体处理设备和用于该等离子体处理设备的天线装置
4. PROCESS CHAMBER OF PLASMA ETCHING EQUIPMENT TO STABLY COLLECT PLASMA IN PROCESS CHAMBER TO WAFER AND MAINTAIN UNIFORMITY OF WAFER [P] . 韩国专利： KR20050022424A . 2005-03-08

机译：等离子刻蚀设备的工艺腔室，用于稳定地收集工艺腔室中的等离子体以进行晶片处理并保持晶片的均匀性
5. PLASMA PROCESSING APPARATUS FOR PROCESSING A SUBSTRATE AND METHOD FOR CONTROLLING IN-PLANE UNIFORMITY OF SUBSTRATE PROCESSED BY PLASMA PROCESS [P] . KR102232748B1 . 2021-03-26

机译：用于处理基板的等离子体处理装置和用于控制等离子体工艺处理的基板的面内均匀性的方法