用干法刻蚀在半导体衬底上形成金属布线的方法

摘要

本发明公开了一种通过对一层金属布线薄膜或者对由一层金属布线薄膜和一层金属势垒薄膜组成的叠层结构进行干法刻蚀从而在半导体衬底上形成金属布线的方法，它包括第一步对金属布线薄膜进行的刻蚀和第二步干法刻蚀对金属布线薄膜或金属势垒薄膜进行的再刻蚀，它们所处的刻蚀条件是使第二步干法刻蚀中在刻蚀反应室内的气体驻留时间短于第一步刻蚀中的气体驻留时间。