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基于分立电荷存储模式的高密度、单分散、高可靠纳米硅存储器

摘要

基于分立电荷存储模式的高密度、单分散、高可靠纳米硅存储器的制备方法,在硅衬底上利用局域氧化工艺形成窗口区域,在注入硼离子并去除SiO

著录项

  • 公开/公告号CN101645422B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-04-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 南京大学;

    申请/专利号CN200910181322.X

  • 申请日2009-07-17

  • 分类号

  • 代理机构南京天翼专利代理有限责任公司;

  • 代理人陈建和

  • 地址 210093 江苏省南京市鼓楼区汉口路22号

  • 入库时间 2022-08-23 09:09:37

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-09-07

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/8247 授权公告日:20120425 终止日期:20150717 申请日:20090717

    专利权的终止

  • 2012-04-25

    授权

    授权

  • 2010-04-14

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8247 申请日:20090717

    实质审查的生效

  • 2010-02-10

    公开

    公开

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