半导体晶圆在薄膜包衣中的重结晶以及有关工艺

摘要

一种原始晶圆，典型地为硅，具有所希望的末端PV晶圆的形式。该原始物可以通过快速固化或者CVD来制作。其具有小的晶粒。其被密封在纯净的薄膜中，当硅重结晶以产生更大的晶粒结构时，该薄膜包含并且保护硅。包衣可以通过在存在氧气或蒸汽的情况下加热晶圆来制作，在外表面上形成二氧化硅，典型地为1-2微米。进一步加热在空间中产生熔区，该晶圆穿过该熔区，产生带有更大晶粒尺寸的重结晶。该包衣在重结晶期间包含熔化的材料并且防止杂质。重结晶可以在空气中进行。通过背衬板的热传递使应力和缺陷最小化。在重结晶之后，该包衣被去除。