公开/公告号CN101542737B
专利类型发明专利
公开/公告日2012-03-21
原文格式PDF
申请/专利权人 NXP股份有限公司;
申请/专利号CN200780042618.2
发明设计人 吉尔贝托·库拉托拉;马克·范达尔;简·桑斯基;
申请日2007-11-13
分类号
代理机构中科专利商标代理有限责任公司;
代理人王波波
地址 荷兰艾恩德霍芬
入库时间 2022-08-23 09:09:22
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-11-05
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/739 授权公告日:20120321 终止日期:20181113 申请日:20071113
专利权的终止
2012-03-21
授权
授权
2012-03-21
授权
授权
2009-11-11
实质审查的生效
实质审查的生效
2009-11-11
实质审查的生效
实质审查的生效
2009-09-23
公开
公开
2009-09-23
公开
公开
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机译: 场效应晶体管z2在垂直方向上具有斜率,并且没有任何碰撞电离,
机译: 具有垂直亚阈值斜率且无碰撞电离的Z 2 Sup> FET场效应晶体管
机译: Z 2 Sup> FET场效应晶体管,具有垂直亚阈值斜率且无碰撞电离