首页> 中国专利> 具有不同排列方式的异质结构介电薄膜及其制备方法

具有不同排列方式的异质结构介电薄膜及其制备方法

页面导航

摘要
著录项
法律信息
相似文献

摘要

本发明公开了一种具有不同排列方式的Ca(Mg

著录项

公开/公告号CN101312079B

专利类型发明专利
公开/公告日2012-04-25

原文格式PDF
申请/专利权人武汉理工大学;
展开▼

申请/专利号CN200810048174.X
发明设计人周静;陈文;朱杰;欧刚;沈杰;徐庆;雷琼;朱泉峣;孙华君;
展开▼

申请日2008-06-25
分类号
代理机构湖北武汉永嘉专利代理有限公司;
代理人张安国
地址 430070 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号
入库时间 2022-08-23 09:09:14

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2012-04-25

授权

授权
2009-01-21

实质审查的生效

实质审查的生效
2008-11-26

公开

公开

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. 具有不同排列方式的异质结构介电薄膜及其制备方法 [P] . 中国专利： CN101312079B . 2012.04.25
2. 一种BZN/BTS异质结构介电调谐薄膜的制备方法 [P] . 中国专利： CN108411251B . 2020.03.03
3. Method for producing dielectric thin film with layered perovskite structure, dielectric thin film with layered perovskite structure and electronic component having dielectric thin film with layered perovskite structure [P] . 日本专利： JP3705695B2 . 2005-10-12

机译：具有层状钙钛矿结构的介电薄膜的制造方法，具有层状钙钛矿结构的介电薄膜和具有具有层状钙钛矿结构的介电薄膜的电子部件
4. METHOD FOR GENERATING DIELECTRIC THIN FILM OF LAYER-LIKE PEROVSKITE STRUCTURE, AND DIELECTRIC THIN FILM OF LAYER-LIKE PEROVSKITE STRUCTURE AND ELECTRONIC PARTS HAVING DIELECTRIC THIN FILM OF LAYER-LIKE PEROVSKITE STRUCTURE [P] . 日本专利： JPH11261029A . 1999-09-24

机译：层状钙钛矿结构的介电薄膜的生成方法，层状钙钛矿结构的介电薄膜和具有层状钙钛矿结构的介电薄膜的电子零件
5. COATING SOLUTION FOR THIN FILM HAVING HIGH DIELECTRIC AND PREPARING METHOD FOR DIELECTRIC THIN FILM USING IT, AND DIELECTRIC THIN FILM PREPARED THEREBY AND EMBEDDED CAPACITOR COMPRISING DIELECTRIC THIN FILM [P] . 日本专利： JP2007126354A . 2007-05-24

机译：具有高介电常数的薄膜镀层的解决方案及其使用的介电薄膜的制备方法，以及由此制备的介电薄膜和包含介电薄膜的嵌入式电容器