公开/公告号CN101553878B
专利类型发明专利
公开/公告日2012-03-14
原文格式PDF
申请/专利权人 艾沃思宾技术公司;
申请/专利号CN200680020367.3
发明设计人 托马斯·W.·安德;其特拉·K.·赛伯拉玛尼安;
申请日2006-06-13
分类号
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;
代理人康建忠
地址 美国亚利桑那
入库时间 2022-08-23 09:09:02
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2012-03-14
授权
授权
2009-12-02
实质审查的生效
实质审查的生效
2009-10-07
公开
公开
机译: 包含并行连接参考的磁隧道结反电路,提供最佳参考电阻
机译: 包含并行连接参考的磁隧道结反电路,提供最佳参考电阻
机译: 利用磁隧道结击穿和包括在内的半导体器件的反熔丝电路