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公开/公告号CN101901830B
专利类型发明专利
公开/公告日2012-02-22
原文格式PDF
申请/专利权人 苏州博创集成电路设计有限公司;
申请/专利号CN200910212766.5
发明设计人 李海松;王钦;杨东林;刘侠;朱奎英;刘斯扬;易扬波;
申请日2009-11-09
分类号
代理机构南京经纬专利商标代理有限公司;
代理人楼高潮
地址 215123 江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖林泉街399号1号楼3层
入库时间 2022-08-23 09:08:57
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2012-02-22
授权
2011-01-12
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/739 申请日:20091109
实质审查的生效
2010-12-01
公开
机译: 大电流N型绝缘体上硅横向绝缘栅双极晶体管
机译: 绝缘体上硅SOI技术中的横向绝缘栅双极晶体管LIGBT器件
机译: 采用绝缘体上硅(soi)技术的横向绝缘栅双极晶体管(ligbt)器件
机译:一种采用独立肖特基阳极的功率集成电路新型绝缘体上硅横向绝缘栅双极晶体管和横向二极管
机译:具有减小的单元间距的高压绝缘体上硅横向绝缘栅双极晶体管
机译:绝缘体上硅衬底上的双栅和电介质插入的横向沟槽绝缘栅双极晶体管
机译:基于SOI技术的反向导通双栅横向绝缘栅双极晶体管
机译:具有沟槽底部源极触点的高密度,低导通电阻的沟槽横向功率MOSFET。
机译:内皮素信号传导通过依赖于MEF2C的正反馈转录途径激活神经c中的Mef2c表达
机译:具有横向掺杂层的掩埋变形的新的低关断损耗SOI横向绝缘栅双极晶体管
机译:油冷绝缘栅双极晶体管换热器模型加热仿真