绝缘体上硅反向导通横向绝缘栅双极晶体管及其制备方法

摘要

一种SOI RC LIGBT，包括：衬底；隔离氧化层；形成于N型漂移区一端的P+区域；形成于P阱区域的P+发射极区域；形成于P+发射极区域和P阱区域交界处N+发射极区域；形成于N型漂移区远离P+发射极区域一端的集电极区域；设于N型漂移区上的场氧化层；设于场氧化层上的栅氧化层；设于栅氧化层上的多晶硅栅电极；设于栅氧化层上的介质层；设于P+发射极区域上的发射极金属层；设于集电极区域上的集电极金属层。上述SOI RC LIGBT由于在集电极区域设置了N+集电极区域，实现了反向导通能力。N+集电极区域、N型漂移区、和P阱区域构成内置二极管，应用时不需要另外设计反并联二极管单元，节省了芯片面积，同时消除了IGBT与二极管反并联时的寄生参数。