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一种体硅刻蚀和金硅键合复合工艺方法

摘要

本发明公开了一种体硅刻蚀和金硅键合复合工艺方法,包括以下步骤:首先在第一硅片上形成金的掩模图形,然后利用金掩模对第一硅片进行干法刻蚀或者湿法腐蚀,形成体硅微结构,最后将第二硅片置于上述已形成图形结构的第一硅片上,进行金硅键合。本发明巧妙地应用了金薄膜层,使其既作为形成硅微结构的刻蚀工艺的掩蔽层,同时也作为后续共晶键合工艺中的粘接层。在传统工艺中,硅的刻蚀和硅片的键合是两步独立的工艺步骤。而本发明的工艺方法有机地将刻蚀和键合融合在了一起,简化了工艺流程,提高了生产效率。

著录项

  • 公开/公告号CN101913553B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-02-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 电子科技大学;

    申请/专利号CN201010250781.1

  • 申请日2010-08-11

  • 分类号

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 入库时间 2022-08-23 09:08:55

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2012-02-15

    授权

    授权

  • 2011-02-02

    实质审查的生效 IPC(主分类):B81C 1/00 申请日:20100811

    实质审查的生效

  • 2010-12-15

    公开

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