机译:在卤素基等离子体中进行硅刻蚀时,反应器壁对等离子体化学性质和硅刻蚀产物密度的影响
LASER-INDUCED FLUORESCENCE; CHAMBER WALLS; ABSORPTION-SPECTROSCOPY; OSCILLATOR-STRENGTHS; CHEMICAL TOPOGRAPHY; COUPLED PLASMA; SI; DEPOSITION; LIFETIMES; FILMS;
机译:在卤素基等离子体中进行硅刻蚀时,反应器壁对等离子体化学性质和硅刻蚀产物密度的影响
机译:反应器壁组成对Cl_2感应耦合等离子体中自由基密度和总压力的影响:I.无硅蚀刻
机译:反应器壁组成对Cl_2感应耦合等离子体中自由基密度和总压力的影响:II。硅蚀刻期间
机译:高等离子体密度感应耦合反应器中硅刻蚀过程中的表面和整体化学模型
机译:在感应耦合等离子体反应器中研究碳氟化合物沉积和蚀刻对硅和二氧化硅蚀刻工艺的影响(使用三氟化甲基),并开发了用于研究等离子体与表面相互作用机理的反应离子束系统。
机译:NF3和F3No等离子体的氧化硅蚀刻方法具有残余气体分析仪
机译:硅等离子刻蚀过程中的两种表面粗糙处理模式:电离刻蚀产物的作用
机译:用于监测氯 - 氦等离子体中多晶硅的等离子体蚀刻期间的蚀刻均匀性的光学诊断仪器。