公开/公告号CN101807521B
专利类型发明专利
公开/公告日2012-03-07
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院微电子研究所;
申请/专利号CN200910077725.X
申请日2009-02-13
分类号
代理机构中科专利商标代理有限责任公司;
代理人周国城
地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号
入库时间 2022-08-23 09:08:51
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2012-03-07
授权
授权
2010-10-06
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/203 申请日:20090213
实质审查的生效
2010-08-18
公开
公开
机译: 在包括非晶硅和ALD掺杂剂层的交替层的非易失性存储器件中形成浮栅的方法以及如此形成的浮栅
机译: 非易失性存储器件的制造包括在浮栅上形成电介质层,该浮栅通过去除层间电介质图案之间的模制图案而暴露,并在浮栅上形成控制栅。
机译: 非易失性存储器制造方法,其中位于浮栅层下方的介电层与隔离沟槽的边缘和/或浮栅层的边缘隔开