公开/公告号CN101814430B
专利类型发明专利
公开/公告日2011-04-27
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院微电子研究所;
申请/专利号CN200910077369.1
申请日2009-02-19
分类号
代理机构中科专利商标代理有限责任公司;
代理人周国城
地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号
入库时间 2022-08-23 09:06:30
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2011-04-27
授权
授权
2010-10-13
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/205 申请日:20090219
实质审查的生效
2010-08-25
公开
公开
机译: 在包括非晶硅和ALD掺杂剂层的交替层的非易失性存储器件中形成浮栅的方法以及如此形成的浮栅
机译: 一种半导体非易失性存储器件,其浮栅型参考单元在控制栅电极和浮栅电极之间短路
机译: 非易失性存储器制造方法,其中位于浮栅层下方的介电层与隔离沟槽的边缘和/或浮栅层的边缘隔开