一种在蓝宝石衬底上制备高质量ZnO单晶薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种在蓝宝石衬底上制备高质量ZnO单晶薄膜的方法，该方法通过“表面+界面+缓冲层”的生长方法在蓝宝石衬底上制备高质量ZnO单晶薄膜的方法，具体步骤为：对蓝宝石(0001)衬底表面进行超高真空热处理结合氧等离子体预处理；然后沉积BeO缓冲层，为外延生长ZnO提供一个理想的模板，然后通过公知的二步生长法制备得到高质量的ZnO薄膜。按本发明所制备的ZnO单晶薄膜具有非常好的结晶性能，适用于高性能光电子器件如紫外探测器等的制作。